A Hynix Semiconductor Inc. («a Hynix, http://www.hynix.com)
anunciou hoje que desenvolveu 2Gb (Gigabit)de Ram DDR4 e 2 GB de RAM
DDR4 (Gigabyte)com o SODIMM ECC (Identificar erros e fazer pequena correção
da linha dual do módulo de mémoria) e aplicará esta tecnologia com o processo 30nm.



Mémoria RAM DDR4 é um produto da próxima geração que consome menos
energia eletrônica, enquanto que as transferências de dados são 2 vezes
mais rápido que as atuais DDR3. O aparelho funciona na velocidade mais
rápida da indústria com 2400Mbps (Megabits por segundo),e também é 80%
mais rápido do que o produto 1333Mbps DDR3. O Módulo opera a uma
voltagem baixa de 1,2 V e processos de até 19.2GB (gigabytes) de
dados por segundo com 64-bit I / O.

Ji-Bum Kim, Diretor de Marketing da Hynix disse sobre a mémoria.

"Os produtos DDR4 são plenamente compatíveis com vários recursos, incluindo as exigentes energia eco-friendly (eficientes e de alta performance).Com este produto, a Hynix será capaz de fornecer soluções premium aos nossos clientes,
não apenas no PC e servidores, mas também no mercado de tablet." 

Hynix planeja começar a produção da DDR4 de alta performance no segundo semestre de 2012.